Produktübersicht
7N Ammoniak ist ein Spezialgas in elektronischer-Qualität mit einem Reinheitsgrad von 99,99999 %. Es wird hauptsächlich aus Stickstoff und Wasserstoff unter hoher Temperatur und hohem Druck synthetisiert, gefolgt von mehrstufigen Destillations-, Adsorptions- und Reinigungsprozessen. Da es sich um ein kritisches Prozessgas in der Halbleiter-, Verbindungshalbleiter- und modernen Displayherstellung handelt, ist seine ultrahohe Reinheit für die Gewährleistung der Dünnschichtqualität, Geräteleistung und Produktionsausbeute von entscheidender Bedeutung. Selbst Spurenverunreinigungen-wie Feuchtigkeit, Sauerstoff, Kohlenwasserstoffe und Metallionen-können zu Gerätedefekten führen, was 7N-Ammoniak zu einem unverzichtbaren Kernmaterial in der High-End-Fertigung macht.
Grundlegende Informationen
| CAS-Nr. | 7664-41-7 |
| UN-Nr. | UN1005 (Ammoniak, wasserfrei, komprimiertes Gas) |
| Gefahrenklassifizierung | Giftiges Gas der Klasse 2.3, ätzender Stoff der Klasse 8 |
Schlüsselattribute und Parameter
| Reinheit | Größer als oder gleich 99,99999 % (7N-Klasse) |
| Wichtige Verunreinigungsgrade (typische Werte, in ppb) |
Feuchtigkeit (H₂O): Weniger als oder gleich 10 ppb Sauerstoff (O₂): Weniger als oder gleich 5 ppb Gesamtkohlenwasserstoffe (THC): Weniger als oder gleich 5 ppb Metallionen (Fe, Ni, Cu, Na, K usw.): Weniger als oder gleich 0,01 ppb |
| Verpackung | Zylinder, Y--Zylinder, ISO-Rohranhänger (anpassbar an die Kundenbedürfnisse) |
| Fülldruck | Typischerweise 20–50 bar (je nach Behälter) |
Funktionen und Vorteile
Ultra-Hohe Reinheit und Konsistenz
Nutzt mehrstufige Reinigungstechnologie und Online-Analyse, um sicherzustellen, dass jede Charge von 7N-Ammoniak die strengsten Halbleiterprozessanforderungen mit gleichbleibenden Reinheits- und Verunreinigungsgraden erfüllt.
Extrem geringe Partikel- und Metallverunreinigung
Die Endfiltration bis zu 0,003 μm gewährleistet einen minimalen Partikel- und Metallionengehalt und verhindert eine Kontamination empfindlicher Chipstrukturen.
Stabile Lieferkette und vollständige Rückverfolgbarkeit
Implementiert eine geschlossene{0}Loop-Steuerung von der Gasquelle über die Reinigung und Abfüllung bis hin zu analytischen Tests und stellt vollständige und nachvollziehbare Qualitätsinspektionsberichte (CoA) bereit, um die Sicherheit der Lieferkette zu gewährleisten.
Professioneller technischer und sicherheitstechnischer Support
Bietet umfassende Lösungen, einschließlich Anleitungen zur Gasnutzung, Pipeline-Design und Sicherheitsschulungen, um sicherzustellen, dass Kunden 7N hochreines Ammoniakgas sicher und effizient nutzen können.
Funktionelle Eigenschaften
Als Stickstoffquelle
Bei epitaktischen Prozessen wie dem Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) dient 7N hoch-reines Ammoniakgas als wichtiger Stickstoffvorläufer für das Wachstum von III-V-Verbindungshalbleitern wie Galliumnitrid (GaN) und Aluminiumnitrid (AlN).
Als reaktives Gas
Beim Ätzen von Halbleitern und bei der Abscheidung dünner -Filme aus Siliziumnitrid (Si₃N₄) gewährleisten seine hohen-Reinheitseigenschaften die Gleichmäßigkeit des Films, eine geringe Defektdichte und hervorragende elektrische Eigenschaften.
Als Träger- oder Dopinggas
In bestimmten Prozessen kann es zur Abgabe oder Dotierung verwendet werden, wobei seine Reinheit direkten Einfluss auf die Schwellenspannung, Mobilität und Zuverlässigkeit des Geräts hat.
Hauptanwendungsfelder
Halbleiterfertigung
Wird für die Siliziumnitrid-/Titannitrid-Abscheidung und das epitaktische Wachstum von III{0}}V-Verbindungshalbleitern (z. B. GaN, GaAs) verwendet.
Display-Technologie
Dient als hochreine Stickstoffquelle bei der Dünnschichtverkapselung und der Herstellung von TFT-Rückwänden für OLED- und Mikro-LED-Displays.
Photovoltaik
Wird bei der Passivierungsschichtabscheidung für hocheffiziente Solarzellen (z. B. HJT, TOPCon) eingesetzt.
Forschung und fortgeschrittene Materialien
Entwicklung neuartiger Nitridmaterialien, Quantenpunktsynthese und Herstellung hochreiner Nitride.
Kundenkooperationsfall
Wir haben eine langfristige strategische Partnerschaft mit einem weltweit führenden -Halbleiterhersteller der dritten{2}}Generation aufgebaut. Für seine Massenproduktionslinie für GaN-auf-Si-Stromversorgungsgeräte forderte der Kunde nahezu -Grenzspezifikationen für Feuchtigkeit und Metallverunreinigungen in hochreinem 7N-Ammoniakgas (Feuchtigkeit kleiner oder gleich 5 ppb, Metallionen kleiner oder gleich 0,005 ppb). Wir haben ein spezielles Reinigungsmodul und ein Online-Überwachungssystem für sie angepasst und eine unterbrechungsfreie, kontaminationsfreie-Verwendung-Versorgung über eine spezielle Pipeline implementiert. Während der gesamten Zusammenarbeit half das bereitgestellte hochreine 7N-Ammoniakgas dem Kunden, die Defektdichte epitaktischer Wafer um 30 % zu reduzieren, was die Geräteausbeute und -zuverlässigkeit deutlich verbesserte und so seine führende Position auf dem Markt für Hochspannungs-Leistungshalbleiter festigte. Dieser Fall veranschaulicht unsere starke Fähigkeit, integrierte ultra-hoch-Gaslösungen bereitzustellen.
FAQ
Beliebte label: 7n Ammoniak, China 7n Ammoniak Hersteller, Lieferanten, Fabrik, Flaschengas, CO-Kalibriergas, Kryogener flüssiger Sauerstoff, Fluorwasserstoff CAS 7664 39 3, Flüssigxenon, Stickstoffdioxid CAS 10102 44 0
